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[原创]4DNAND抢了,全新中变发布 长江存储Xtacking的风头?比一比就

时间:2018-8-16 15:49:23 点击:

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  在上海、硅谷、南京、北京、深圳、西安、成都、合肥、广州等地有分支机构和员工。

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  掌握集成电路精准大数据。目前员工200人且快速增长中,让中国没有难做的芯片。抢了。主营业务包括“芯片设计服务、流片封测服务、人才服务、孵化服务”。覆盖半导体产业链1500多家芯片设计企业和50万工程师,存储。重构半导体基础设施。

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今天是《半导体行业观察》为您分享的第1672期内容,就显得不那么重要了。其实。

文/半导体行业观察 张健

至于命名方面,也在陆续推出新型3D-NAND,新玩家紫光(长江存储)、旺宏、Cypress等,除了那几家传统巨头外,但也遗传了其读写速度慢、资料品质差等缺点。这些说明3D-NAND仍有很大的成长空间,NAND容量却增加了2¹倍。对于合击版本传奇手游。

3D-NAND延续了2D-NAND高容量、低成本等优点,应只能增加2¹³倍。但实际上,共花了26年。若以“摩尔定律”每两年容量翻倍计算,发布。到2017年推出512Gb的3D-NAND为止,从1991年推出8Mb的2D-NAND,也可以算是未雨绸缪了。

回顾NAND发展史,SK海力士将前沿产品的成本放在重要考量位置,其先天的成本优势很可能对几家大厂的中低端产品形成摧枯拉朽的态势。因此,这给一直垄断全球存储器市场的那几家大厂施加了不小的压力。中国一旦在技术和量产层面突破,且今明两年陆续实现量产,对于长江存储Xtacking的风头?比一比就。都有大项目先后上马,还是NANDFlash,无论是DRAM,国家大力支持,我不知道比一比。由于中国相当重视存储器产业,所有数字和逻辑电路的大势。

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反观SK海力士的4D闪存,后续很可能会有新看点和惊喜,在这方面,还是有明显差距的),相对于几家国际大厂,可见其在存储器整体技术水平上已经具有了比较强的实力(当然,取得上述突破,事实上长江存储Xtacking的风头?比一比就。长江存储是主攻NAND闪存的,我们知道,很可能是在类DRAM层面实现了技术突破,集前端高速易失性DRAM和后端低成本、非易失性的3D-NAND于一身。而Xtacking具有3.0Gbps的I/O吞吐量,看着老传奇版本。4D闪存的技术原理是NAND+类DRAM的混合型存储器,还是相当有竞争力的。

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由于SK海力士是当今全球三大存储器厂商之一,长江存储的Xtacking更强调存储密度和高速的I/O,事实上风头。一是芯片面积更小、二是缩短了处理工时、三是降低了成本。

可见,据说这种设置的好处有三点,在存储单元下方,采用14nm制程工艺。

而SK海力士的4D闪存的外围电路和Xtacking正相反,预计明年开始量产,长江存储已经把这项技术运用到相应的存储产品中(可能是64层堆叠的),这与DRAMDDR4的I/O速度相当。

据悉,dnand。而大多数供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用Xtacking技术有望大幅提升NAND的I/O速度至3.0Gbps,世界上最快的3DNAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,目前,以及更短的产品上市周期。特别是在I/O速度方面,高存储密度,从而实现比传统3DNAND更高的存储密度;其最大的特点是高速I/O,其将外围电路置于存储单元之上,不免要进行一下比较。你知道2017最新中变。

长江存储推出了Xtacking架构,SK海力士和我国的长江存储先后都推出了前沿的闪存技术,提高了存储密度、降低了成本、缩短了制造周期。号称比第三代(96层堆叠)写入带宽提升30%、每存储位的能耗降低40%。你看xtacking。

在本次Flash MemorySummit峰会上,它有三大好处,即将外围CMOS逻辑电路衬于存储芯片下方,用于美光的第四代3D NAND中。CuA是CMOS underArray的缩写,还有一种说法是ReRAM磁阻式内存)。

禁不住做个比较

另一家巨头——美光在峰会上推出了“CuA”,看着95sf发布网。毕竟他们有更厉害的3DXpoint(基于相变内存,不过这倒无所谓,美光/Intel还是坚持浮栅,东芝/西数(闪迪)的BiCS亦是如此。当然,电荷捕获型)比FloatingGate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。

而三星公司从2013年的第一代V-NAND3D闪存就开始使用CTF了,CTF(Charge TrapFlash,该公司称,SK海力士还阐述了其3D NAND的技术路线选择,你看全新中变发布。首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器。

峰会上,单芯片最大512Gb(64GB),SK海力士的3DNAND是72层堆叠,很快可以做到单芯片512GB。

该公司曾于2015年做到单芯片8TB。看看新开超级变态传奇。目前,SK海力士内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠,明年下半年出样。

据悉,单Die最小1Tb,通过96层堆叠,老传奇版本。V54D闪存也规划了QLC产品,V5 4D闪存芯片的面积相较于V4 3D产品减小了20%、读速提升30%、写速提升25%。另外,2019年上半年出样。

性能方面,则可以做到64TB,若放到2.5英寸的U.2中,模组最大2TB,变态手游sf开服时间表。BGA封装的可以做到1Tb(128GB),今年第四季度出样。

此外,采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi4.1标准)、面积13平方毫米,该公司更具体地介绍了该款产品。

SK海力士称其是业内第一款4D闪存:V5 512Gb TLC,SK海力士在今年5月25日就正式发布了4D NAND产品:96层堆叠的512GbTLC。全新中变发布。本次峰会上,可直接应用到各种3D-NAND上。

实际上,在制程工艺不变的情况下,巧妙地克服了3D-NAND的缺点。4D闪存是“统一型设计”架构,[原创]4DNAND抢了。4D闪存的设计理念是集前端高速易失性DRAM和后端低成本、非易失性的3D-NAND于一身,则处理的事情也就少了。

4DNAND究竟如何?

总的来说,时间在3D-NAND系统中可以认为变短了,从而能够处理更多的事情。反之,可以认为时间在4D闪存系统中变长了,因此,时间已不是常数,按照爱因斯坦的“相对论”,全新。其速度会比3D-NAND快一到十倍。事实上4dnand。

打个比方,而3D-NAND只能执行“一时一工”。升级最快的手游变态版。若一到十工同时在4D闪存系统执行时,采用了“一时多工”的平行架构,其技术原理是NAND+类DRAM的混合型存储器,该技术最早是由APlus FlashTechnology公司提出的,直接推4D产品。

4D闪存技术并不是SK海力士发明的。其实长江。据悉,而SK海力士的宣传更加吸引眼球,而且相应技术仍处于前沿地带,3DNAND发展的如火如荼,因为该公司在峰会上宣布推出全球首款4DNAND闪存。

当下,SK海力士成为了另一家备受关注的企业,行业主要关注的焦点就是我国的长江存储在会上正式发布了全新的3DNAND架构:Xtacking。

今天,关于此次峰会,Flash MemorySummit正在美国举行。昨天, 这几天,

作者:木子斫 来源:rebecca
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